參數(shù)資料
型號： ZXTN25015DFH
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 15V, NPN medium power transistor
中文描述： 15V的，叩中等功率晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
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代理商： ZXTN25015DFH
ZXTN25015DFH
Issue 1 - May 2006
Zetex Semiconductors plc 2006
4
www.zetex.com
Electrical characteristics (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Collector-emitter breakdown
voltage
Collector-emitter breakdown
voltage (reverse blocking)
Symbol
BV
CEO
Min.
15
Typ.
22
Max.
Unit
V
Conditions
I
C
= 10mA
(*)
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width
300 s; duty cycle
2%.
BV
ECX
6
8
V
I
E
= 100 A, R
BC
< 1k
or
0.25v > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
Collector-emitter breakdown
voltage (reverse blocking)
Emitter-base breakdown voltage BV
EBO
Collector cut-off current
BV
ECO
4.5
5.3
V
7
8.2
<1
V
I
E
= 100 A
V
CB
= 40V
V
CB
= 40V, T
amb
= 100°C
V
CE
= 30V; R
BE
< 1k
or
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 1A, I
B
= 100mA
(*)
I
C
= 1A, I
B
= 10mA
(*)
I
C
= 2A, I
B
= 20mA
(*)
I
C
= 5A, I
B
= 500mA
(*)
I
C
= 5A, I
B
= 100mA
(*)
I
C
= 5A, I
B
= 500mA
(*)
I
C
= 5A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10mA, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 2A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 5A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 15A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 50mA, V
CE
= 10V
f
= 50MHz
V
CB
= 10V, f
= 1MHz
(*)
V
CC
= 10V. I
C
= 3A, I
B1
=
I
B2
= 50mA.
I
CBO
50
20
nA
A
Collector-emitter cut-off current
I
CEX
-
100
nA
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation
voltage
I
EBO
V
CE(sat)
<1
30
50
40
nA
mV
60
80
mV
90
125
mV
125
155
mV
160
215
mV
Base-emitter saturation voltage
V
BE(sat)
990
1090
mV
Base-emitter turn-on voltage
V
BE(on)
805
900
mV
Static forward current transfer
ratio
h
FE
300
450
900
300
400
150
275
25
40
Transition frequency
f
T
150
240
MHz
Output capacitance
C
OBO
22.7
30
pF
Delay time
Rise time
Storage time
Fall time
t
(d)
t
(r)
t
(s)
t
(f)
16
41
148
23
ns
ns
ns
ns
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PDF描述
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