參數(shù)資料
型號(hào)： ZXTN25020CFH
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 20V, SOT23, NPN medium power transistor
中文描述： 20V的，SOT23封裝，npn型中等功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 393K
代理商： ZXTN25020CFH
ZXTN25020CFH
Issue 1 - June 2006
Zetex Semiconductors plc 2006
4
www.zetex.com
Electrical characteristics (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Collector-base breakdown
voltage
Collector-emitter breakdown
voltage (forward blocking)
Min.
70
Typ.
100
Max.
Unit
V
Conditions
I
C
= 100 A
BV
CBO
BV
CEX
70
100
I
C
= 100 A, R
BE
1k or
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10mA
(*)
Collector-emitter breakdown
voltage (base open)
Emitter-base breakdown
voltage
Emitter-collector breakdown
voltage (reverse blocking)
BV
CEO
20
35
V
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width
300 s; duty cycle
2%.
BV
EBO
7
8.3
V
I
E
= 100 A
BV
ECX
6
8.0
V
I
E
= 100 A, R
BC
1k or
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
Emitter-collector breakdown
voltage (base open)
Collector-base cut-off current I
CBO
BV
ECO
5
6.6
V
<1
50
20
nA
A
V
CB
= 56V
V
CB
= 56V, T
amb
= 100°C
V
CE
= 56V; R
BE
1k or
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 1A, I
B
= 100mA
(*)
I
C
= 1A, I
B
= 20mA
(*)
I
C
= 2A, I
B
= 40mA
(*)
I
C
= 4.5A, I
B
= 90mA
(*)
I
C
= 4.5A, I
B
= 450mA
(*)
I
C
= 4.5A, I
B
= 90mA
(*)
Collector-emitter cut-off
current
I
CEX
-
100
nA
Emitter-base cut-off current
Collector-emitter saturation
voltage
I
EBO
V
CE(sat)
<1
35
50
45
nA
mV
53
65
mV
85
100
mV
175
220
mV
125
140
mV
Base-emitter saturation
voltage
Base-emitter turn-on voltage V
BE(on)
Static forward current
transfer ratio
V
BE(sat)
905
1000
mV
815
900
mV
I
C
= 4.5A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10mA, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 1A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 4.5A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 50mA, V
CE
= 10V
f
= 100MHz
V
CB
= 10V, f
= 1MHz
(*)
V
CC
= 10V.
I
C
= 1A,
I
B1
= I
B2
= 10mA.
h
FE
200
350
500
180
320
90
145
25
40
Transition frequency
f
T
185
MHz
Output capacitance
C
OBO
t
d
t
r
t
s
t
f
16.8
25
pF
Delay time
Rise time
Storage time
Fall time
70.5
88
266
65
ns
ns
ns
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTN25020CFHTA 20V, SOT23, NPN medium power transistor
ZXTN25020DFL 20V, SOT23, NPN low power transistor
ZXTN25020DFLTA 20V, SOT23, NPN low power transistor
ZXTN25040DFH 40V, SOT23, NPN medium power transistor
ZXTN25040DFHTA 40V, SOT23, NPN medium power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTN25020CFHTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 4.5A MED PWR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN25020DFH 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency Typ ft:215MHz; Power Dissipation Pd:1.25W; DC Collector Current:4.5A; DC Current Gain hFE:450; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
ZXTN25020DFHTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V HIGH GAIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN25020DFL 制造商:ZETEX 制造商全稱(chēng):ZETEX 功能描述:20V, SOT23, NPN low power transistor
ZXTN25020DFLTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V HG Tran. RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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