參數(shù)資料
型號： ZXTN25040DFL
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 40V, SOT23, NPN low power transistor
中文描述： 40V的，SOT23封裝，低功耗晶體管叩
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 556K
代理商： ZXTN25040DFL
ZXTN25040DFL
Issue 2 - January 2007
Zetex Semiconductors plc 2007
4
www.zetex.com
Electrical characteristics (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Collector-base breakdown
voltage
Collector-emitter
breakdown voltage (forward
blocking)
Collector-emitter breakdown
voltage (base open)
Emitter-base breakdown
voltage
Emitter-collector breakdown
voltage (reverse blocking)
Min.
130
Typ.
170
Max.
Unit
V
Conditions
I
C
= 100 A
BV
CBO
BV
CEX
130
170
V
I
C
= 100 A; R
BE
< 1k or
-1V < V
BE
< 0.25V
BV
CEO
40
63
V
I
C
= 10mA
(*)
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width 300 s; duty cycle 2%.
BV
EBO
7
8.3
V
I
E
= 100 A
BV
ECX
6
7.4
V
I
E
= 100 A, R
BC
< 1k or
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
Emitter-collector breakdown
voltage (base open)
Collector cut-off current
BV
ECO
6
7.4
V
I
CBO
<1
50
20
nA
A
V
CB
= 100V
V
CB
= 100V, T
amb
= 100°C
V
CE
= 100V; R
BE
< 1k or
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 0.5A, I
B
= 50mA
(*)
I
C
= 0.5A, I
B
= 10mA
(*)
I
C
= 1A, I
B
= 100mA
I
C
= 1.5A, I
B
= 30mA
(*)
I
C
= 4A, I
B
= 400mA
(*)
I
C
= 1.5A, I
B
= 30mA
(*)
Collector emitter cut-off
current
I
CEX
<1
100
nA
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation
voltage
I
EBO
V
CE(sat)
<1
35
50
50
nA
mV
60
80
mV
70
145
85
185
mV
mV
235
840
285
950
mV
mV
Base-emitter saturation
voltage
Base-emitter turn-on
voltage
Static forward current
transfer ratio
V
BE(sat)
V
BE(on)
770
850
mV
I
C
= 1.5A, V
CE
= 2V
(*)
h
FE
300
450
900
I
C
= 10mA, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 1A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 1.5A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 4A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 50mA, V
CE
= 10V
f
= 100MHz
V
CB
= 10V, f
= 1MHz
(*)
V
CC
= 10V,
I
C
= 1A,
I
B1
= I
B2
= 10mA.
300
400
170
250
25
40
190
Transition frequency
f
T
MHz
Output capacitance
C
obo
t
(d)
t
(r)
t
(s)
t
(f)
11.7
20
pF
Delay time
Rise time
Storage time
Fall time
64
108
428
130
ns
ns
ns
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTN25040DFLTA 40V, SOT23, NPN low power transistor
ZXTN25040DZ 40V, SOT89, NPN medium power transistor
ZXTN25040DZTA 40V, SOT89, NPN medium power transistor
ZXTN25050DFH 50V, SOT23, NPN medium power transistor
ZXTN25050DFHTA 50V, SOT23, NPN medium power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTN25040DFLTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 40V HG Tran. RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN25040DZ 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:40V, SOT89, NPN medium power transistor
ZXTN25040DZTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 40V HIGH GAIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN25050DFH 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 50V, 4A, 1.25W, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:1.25W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:450; No. of Pins:3;RoHS Compliant: Yes
ZXTN25050DFHTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V HIGH GAIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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