參數(shù)資料
型號： ZXTN25040DZTA
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 40V, SOT89, NPN medium power transistor
中文描述： 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 752K
代理商： ZXTN25040DZTA
ZXTN25040DZ
Issue 2 - January 2007
Zetex Semiconductors plc 2007
2
www.zetex.com
Absolute maximum ratings
NOTES:
(a) For a device surface mounted on 15mm x 15mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in
still air conditions.
(b)Mounted on 25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB with a high coverage of single sided 2 oz copper in still air conditions.
(c) Mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB with a high coverage of single sided 2 oz copper in still air conditions.
(d)As (c) above measured at t<5secs.
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
V
CEX
V
CEO
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
130
V
Collector-emitter voltage (forward blocking)
130
V
Collector-emitter voltage
40
V
Emitter-collector voltage (reverse blocking)
6
V
Emitter-base voltage
7
V
Continuous collector current
(b)
5
A
Base current
1
A
Peak pulse current
10
A
Power dissipation at T
amb
= 25°C
(a)
Linear derating factor
1.1
W
8.8
1.8
mW/°C
W
Power dissipation at T
amb
= 25°C
(b)
Linear derating factor
P
D
14.4
2.4
mW/°C
W
Power dissipation at T
amb
= 25°C
(c)
Linear derating factor
P
D
19.2
4.46
mW/°C
W
Power dissipation at T
amb
= 25°C
(d)
Linear derating factor
Operating and storage temperature range
P
D
35.7
mW/°C
°C
T
j
, T
stg
- 55 to 150
Thermal resistance
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction to ambient
(a)
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
117
°C/W
Junction to ambient
(b)
68
°C/W
Junction to ambient
(c)
51
°C/W
Junction to ambient
(d)
28
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTN25050DFH 50V, SOT23, NPN medium power transistor
ZXTN25050DFHTA 50V, SOT23, NPN medium power transistor
ZXTN25060BFH 60V, SOT23, NPN medium power transistor
ZXTN25060BFHTA 60V, SOT23, NPN medium power transistor
ZXTN25060BZ 60V, SOT89, NPN medium power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTN25050DFH 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 50V, 4A, 1.25W, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:1.25W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:450; No. of Pins:3;RoHS Compliant: Yes
ZXTN25050DFHTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V HIGH GAIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN25060BFH 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23
ZXTN25060BFHTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN25060BZ 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:60V, SOT89, NPN medium power transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*