參數(shù)資料
型號： ZXTN25050DFH
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 50V, SOT23, NPN medium power transistor
中文描述： 50V的SOT23封裝，npn型中等功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 416K
代理商： ZXTN25050DFH
ZXTN25050DFH
Issue 3 - September 2006
Zetex Semiconductors plc 2006
2
www.zetex.com
Absolute maximum ratings
NOTES:
(a) For a device surface mounted on 15mm x 15mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in
still air conditions.
(b)Mounted on 25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB with a high coverage of single sided 2 oz copper in still air conditions.
(c) Mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB with a high coverage of single sided 2 oz copper in still air conditions.
(d)As (c) above measured at t<5secs.
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
150
V
Collector-emitter voltage (forward blocking)
V
CEX
150
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter-collector voltage (reverse blocking)
V
ECO
5
V
Emitter-base voltage
V
EBO
7
V
Continuous collector current
(c)
I
C
4
A
Base current
I
B
1
A
Peak pulse current
I
CM
10
A
Power dissipation at T
amb
=25°C
(a)
Linear derating factor
P
D
0.73
5.84
W
mW/°C
Power dissipation at T
amb
=25°C
(b)
Linear derating factor
P
D
1.05
8.4
W
mW/°C
Power dissipation at T
amb
=25°C
(c)
Linear derating factor
P
D
1.25
9.6
W
mW/°C
Power dissipation at T
amb
=25°C
(d)
Linear derating factor
P
D
1.81
14.5
W
mW/°C
Operating and storage temperature range
T
j
, T
stg
- 55 to 150
°C
Thermal resistance
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction to ambient
(a)
R
JA
171
°C/W
Junction to ambient
(b)
R
JA
119
°C/W
Junction to ambient
(c)
R
JA
100
°C/W
Junction to ambient
(d)
R
JA
69
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTN25050DFHTA 50V, SOT23, NPN medium power transistor
ZXTN25060BFH 60V, SOT23, NPN medium power transistor
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參數(shù)描述
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