參數(shù)資料
型號： ZXTN25050DFHTA
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 50V, SOT23, NPN medium power transistor
中文描述： 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 416K
代理商： ZXTN25050DFHTA
ZXTN25050DFH
Issue 3 - September 2006
Zetex Semiconductors plc 2006
4
www.zetex.com
Electrical characteristics (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Collector-base breakdown voltage
BV
CBO
Collector-emitter breakdown
voltage (forward blocking)
Min.
150
150
Typ.
180
180
Max.
Unit
V
V
Conditions
I
C
= 100 A
I
C
= 100 A, R
BE
1k or
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10mA
(*)
BV
CEX
Collector-emitter breakdown
voltage (base open)
Emitter-collector breakdown
voltage (reverse blocking)
BV
CEO
50
67
V
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width
300 s; duty cycle
2%.
BV
ECX
5
8
V
I
E
= 100 A, R
BC
1k or
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
Emitter-collector breakdown
voltage (base open)
Emitter-base breakdown
voltage
Collector cut-off current
BV
ECO
5
7.4
V
BV
EBO
7
8.3
V
I
E
= 100 A
I
CBO
<1
50
20
nA
A
V
CB
= 150V
V
CB
= 150V, T
amb
= 100°C
V
CE
= 150V; R
BE
1k or
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 1A, I
B
= 100mA
(*)
I
C
= 1A, I
B
= 10mA
(*)
I
C
= 2A, I
B
= 40mA
(*)
I
C
= 3,5A, I
B
= 175mA
(*)
I
C
= 4A, I
B
= 400mA
(*)
I
C
= 4A, I
B
= 400mA
(*)
Collector-emitter cut-off
current
I
CEX
-
100
nA
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation
voltage
I
EBO
V
CE(sat)
<1
50
50
60
nA
mV
160
260
mV
180
250
mV
190
235
mV
160
210
mV
Base-emitter saturation
voltage
Base-emitter turn-on voltage
V
BE(sat)
970
1070
mV
V
BE(on)
870
970
mV
I
C
= 4A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10mA, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 1A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 4A, V
CE
= 2V
(*)
MHz I
C
= 50mA, V
CE
= 10V
f
= 100MHz
pF
V
CB
= 10V, f
= 1MHz
(*)
ns
V
CC
= 10V. I
C
= 1A,
I
B1
= I
B2
= 10mA.
ns
ns
ns
Static forward current transfer
ratio
h
FE
300
450
900
240
410
20
40
Transition frequency
f
T
200
Output capacitance
C
OBO
12
20
Delay time
Rise time
Storage time
Fall time
t
(d)
t
(r)
t
(s)
t
(f)
65
111
429
140
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