參數(shù)資料
型號(hào)： ZXTN25100BFH
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 100V, SOT23, medium power transistor
中文描述： 100V的，SOT23封裝，中等功率晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 390K
代理商： ZXTN25100BFH
ZXTN25100BFH
Issue 1 - May 2006
Zetex Semiconductors plc 2006
4
www.zetex.com
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Collector-base breakdown
voltage
Collector-emitter breakdown
voltage (forward blocking)
Symbol
BV
CBO
Min.
170
Typ.
220
Max.
Unit Conditions
V
I
C
= 100 A
BV
CEX
170
210
I
C
= 100 A, R
BE
< 1k or
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10mA
(*)
Collector-emitter breakdown
voltage (base open)
Emitter-collector breakdown
voltage (reverse blocking)
BV
CEO
100
120
V
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width
300 s; duty cycle
2%.
BV
ECX
6
7
V
I
E
= 100 A, R
BC
< 1k or
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
Emitter-collector breakdown
voltage (base open)
Emitter-base breakdown
voltage
Collector cut-off current
BV
ECO
6
8.4
V
BV
EBO
7
8
V
I
E
= 100 A
I
CBO
<1
50
20
nA
A
V
CB
= 136V
V
CB
= 136V, T
amb
= 100°C
V
CE
= 136V; R
BE
< 1k or
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 0,5A, I
B
= 50mA
(*)
I
C
= 0,5A, I
B
= 10mA
(*)
I
C
= 1A, I
B
= 100mA
(*)
I
C
= 3A, I
B
= 300mA
(*)
I
C
= 3A, I
B
= 300mA
(*)
I
C
= 3A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10mA, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 1A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 3A, V
CE
= 2V
(*)
MHz I
C
= 100mA, V
CE
= 5V
f
= 100MHz
pF
V
CB
= 10V, f
= 1MHz
(*)
ns
V
CC
= 10V. I
C
= 500mA,
I
B1
= I
B2
= 50mA.
ns
ns
ns
Collector emitter cut-off current I
CEX
-
100
nA
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation
voltage
I
EBO
V
CE(sat)
<1
40
50
55
nA
mV
100
135
mV
70
80
mV
200
250
mV
Base-emitter saturation voltage V
BE(sat)
940
1050
mV
Base-emitter turn-on voltage
V
BE(on)
890
1000
mV
Static forward current transfer
ratio
h
FE
100
200
300
50
85
20
Transition frequency
f
T
160
Output capacitance
C
OBO
9.4
20
Delay time
Rise time
Storage time
Fall time
t
(d)
t
(r)
t
(s)
t
(f)
16
55
677
95
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