參數(shù)資料
型號： ZXTN25100DFH
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 100V, SOT23, NPN medium power transistor
中文描述： 100V的，SOT23封裝，npn型中等功率晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 390K
代理商： ZXTN25100DFH
ZXTN25100DFH
Issue 1 - June 2006
Zetex Semiconductors plc 2006
4
www.zetex.com
Electrical characteristics (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Collector-base breakdown
voltage
Collector-emitter breakdown
voltage (forward blocking)
Symbol
BV
CBO
Min.
180
Typ.
220
Max.
Unit
V
Conditions
I
C
= 100 A
BV
CEX
180
220
V
I
C
= 100 A, R
BE
1k or
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10mA
(*)
Collector-emitter breakdown
voltage (base open)
Emitter-base breakdown
voltage
Emitter-collector breakdown
voltage (reverse blocking)
BV
CEO
100
130
V
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width
300 s; duty cycle
2%.
BV
EBO
7
8.3
V
I
E
= 100 A
BV
ECX
6
8.2
V
I
E
= 100 A, R
BC
1k or
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
Emitter-collector breakdown
voltage (base open)
Collector-base cut-off current I
CBO
BV
ECO
6
8.7
V
<1
50
20
nA
A
V
CB
= 144V
V
CB
= 144V, T
amb
= 100°C
V
CE
= 144V; R
BE
1k or
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 0.5A, I
B
= 10mA
(*)
I
C
= 1A, I
B
= 100mA
(*)
I
C
= 2.5A, I
B
= 250mA
(*)
I
C
= 2.5A, I
B
= 250mA
(*)
Collector-emitter cut-off
current
I
CEX
-
100
nA
Emitter-base cut-off current
Collector-emitter saturation
voltage
I
EBO
V
CE(sat)
<1
120
50
170
nA
mV
80
95
mV
215
330
mV
Base-emitter saturation
voltage
Base-emitter turn-on voltage
V
BE(sat)
910
1000
mV
V
BE(on)
h
FE
860
950
mV
I
C
= 2.5A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10mA, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 0.5A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 1A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 2.5A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 100mA, V
CE
= 10V
f
= 100MHz
V
CB
= 10V, f
= 1MHz
(*)
V
CC
= 10V.
I
C
= 500mA,
I
B1
= I
B2
= 50mA.
Static forward current
transfer ratio
300
450
900
120
170
40
60
20
Transition frequency
f
T
175
MHz
Output capacitance
C
OBO
t
d
t
r
t
s
t
f
8.7
15
pF
Delay time
Rise time
Storage time
Fall time
16.4
115
763
158
ns
ns
ns
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTN25100DFHTA 100V, SOT23, NPN medium power transistor
ZXTP05120HFF 120V, SOT23F, PNP medium power Darlington transistor
ZXTP05120HFFTA 120V, SOT23F, PNP medium power Darlington transistor
ZXTP07012EFF 12V, SOT23F, PNP medium power transistor
ZXTP07012EFFTA 12V, SOT23F, PNP medium power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTN25100DFHTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 100V HIGH GAIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN25100DG 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:100V NPN high gain transistor
ZXTN25100DGTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 100V HIGH GAIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN25100DZ 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:100V NPN high gain transistor
ZXTN25100DZTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 100V HIGH GAIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*