參數(shù)資料
型號： ZXTP07012EFF
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 12V, SOT23F, PNP medium power transistor
中文描述： 12V的，SOT23F，進(jìn)步黨中功率晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 441K
代理商： ZXTP07012EFF
ZXTP07012EFF
Issue 1 - September 2006
Zetex Semiconductors plc 2006
4
www.zetex.com
Electrical characteristics (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Collector-base breakdown
voltage
Collector-emitter breakdown
voltage (base open)
Emitter-base breakdown
voltage
Collector-base cut-off current I
CBO
Symbol
BV
CBO
Min.
-12
Typ.
-23
Max.
Unit
V
Conditions
I
C
= -100 A
BV
CEO
-12
-16
V
I
C
= -10mA
(*)
*
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width 300 s; duty cycle 2%.
BV
EBO
-7
-8.4
V
I
E
= -100 A
<-1
-50
nA
V
CB
= -10V
V
CB
= -10V, T
amb
= 100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -0.5A, I
B
= -2.5mA
(*)
I
C
= -1A, I
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A, I
B
= -5mA
(*)
I
C
= -2A, I
B
= -10mA
(*)
I
C
= -4A, I
B
= -80mA
(*)
I
C
= -4A, I
B
= -80mA
(*)
-20
A
Emitter-base cut-off current
I
EBO
V
CE(sat)
<-1
-50
nA
Collector-emitter saturation
voltage
-80
-100
mV
-60
-75
mV
-130
-165
mV
-250
-350
mV
-260
-340
mV
Base-emitter saturation
voltage
Base-emitter turn-on voltage
V
BE(sat)
-945
-1050
mV
V
BE(on)
-850
-950
mV
I
C
= -4A, V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10mA, V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A, V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -4A, V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -6A, V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -50mA, V
CE
= -5V
f
= 50MHz
V
CB
= -0.5V, f
= 1MHz
(*)
V
CB
= -10V, f
= 1MHz
(*)
V
CC
= -10V.
I
C
= -500mA,
I
B1
= I
B2
= -50mA.
Static forward current
transfer ratio
h
FE
500
750
1500
400
570
230
320
150
210
Transition frequency
f
T
100
250
MHz
Input capacitance
C
ibo
223
pF
Output capacitance
C
obo
24
30
pF
Delay time
t
d
t
r
t
s
t
f
12.8
ns
Rise time
15.6
ns
Storage time
240
ns
Fall time
92.8
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTP07012EFFTA 12V, SOT23F, PNP medium power transistor
ZXTP07040DFF 40V, SOT23F, PNP medium power transistor
ZXTP07040DFFTA 40V, SOT23F, PNP medium power transistor
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參數(shù)描述
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