參數(shù)資料
型號： ZXTP07012EFFTA
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 12V, SOT23F, PNP medium power transistor
中文描述： 4 A, 12 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-23F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 441K
代理商： ZXTP07012EFFTA
ZXTP07012EFF
Issue 1 - September 2006
Zetex Semiconductors plc 2006
4
www.zetex.com
Electrical characteristics (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Collector-base breakdown
voltage
Collector-emitter breakdown
voltage (base open)
Emitter-base breakdown
voltage
Collector-base cut-off current I
CBO
Symbol
BV
CBO
Min.
-12
Typ.
-23
Max.
Unit
V
Conditions
I
C
= -100 A
BV
CEO
-12
-16
V
I
C
= -10mA
(*)
*
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width 300 s; duty cycle 2%.
BV
EBO
-7
-8.4
V
I
E
= -100 A
<-1
-50
nA
V
CB
= -10V
V
CB
= -10V, T
amb
= 100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -0.5A, I
B
= -2.5mA
(*)
I
C
= -1A, I
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A, I
B
= -5mA
(*)
I
C
= -2A, I
B
= -10mA
(*)
I
C
= -4A, I
B
= -80mA
(*)
I
C
= -4A, I
B
= -80mA
(*)
-20
A
Emitter-base cut-off current
I
EBO
V
CE(sat)
<-1
-50
nA
Collector-emitter saturation
voltage
-80
-100
mV
-60
-75
mV
-130
-165
mV
-250
-350
mV
-260
-340
mV
Base-emitter saturation
voltage
Base-emitter turn-on voltage
V
BE(sat)
-945
-1050
mV
V
BE(on)
-850
-950
mV
I
C
= -4A, V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10mA, V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A, V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -4A, V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -6A, V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -50mA, V
CE
= -5V
f
= 50MHz
V
CB
= -0.5V, f
= 1MHz
(*)
V
CB
= -10V, f
= 1MHz
(*)
V
CC
= -10V.
I
C
= -500mA,
I
B1
= I
B2
= -50mA.
Static forward current
transfer ratio
h
FE
500
750
1500
400
570
230
320
150
210
Transition frequency
f
T
100
250
MHz
Input capacitance
C
ibo
223
pF
Output capacitance
C
obo
24
30
pF
Delay time
t
d
t
r
t
s
t
f
12.8
ns
Rise time
15.6
ns
Storage time
240
ns
Fall time
92.8
ns
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