參數(shù)資料
型號(hào)： ZXTP08400BFFTA
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 400V, SOT23F, PNP medium power high voltage transistor
中文描述： 0.2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-23F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 284K
代理商： ZXTP08400BFFTA
ZXTP08400BFF
Issue 1 - January 2007
Zetex Semiconductors plc 2007
4
www.zetex.com
Electrical characteristics (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Collector-base breakdown
voltage
Collector-emitter breakdown
voltage (base open)
Emitter-base breakdown
voltage
Emitter-collector breakdown
voltage (reverse blocking)
Symbol
BV
CBO
Min.
-400
Typ.
-500
Max.
Unit
V
Conditions
I
C
= -100 A
BV
CEO
-400
-480
V
I
C
= -10mA
(*)
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width 300 s; duty cycle 2%.
BV
EBO
-7
-8.1
V
I
E
= -100 A
BV
ECX
-6
-8.2
V
I
E
= -100 A, R
BC
< 1k or
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= -100 A,
Emitter-collector breakdown
voltage (base open)
Collector-base cut-off current I
CBO
BV
ECO
-6
-8.6
V
<-1
-50
-20
nA
A
V
CB
= -320V
V
CB
= -320V, T
amb
= 100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -20mA, I
B
= -1mA
(*)
I
C
= -50mA, I
B
= -5mA
(*)
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
(*)
I
C
= -200mA, I
B
= -40mA
(*)
I
C
= -200mA, I
B
= -40mA
(*)
Emitter-base cut-off current
I
EBO
V
CE(sat)
<-1
-50
nA
Collector-emitter saturation
voltage
-10
-145
mV
-95
-125
mV
-140
-220
mV
-140
-190
mV
Base-emitter saturation
voltage
Base-emitter turn-on voltage
V
BE(sat)
-810
-900
mV
V
BE(on)
-705
-800
mV
I
C
= -200mA, V
CE
= -10V
(*)
I
C
= -1mA, V
CE
= -5V
(*)
I
C
= -50mA, V
CE
= -5V
(*)
I
C
= -200mA, V
CE
= -10V
(*)
I
C
= -20mA, V
CE
= -20V
f
= 20MHz
V
CB
= -20V, f
= 1MHz
(*)
V
CC
= -100V.
I
C
= -100mA,
I
B1
= 10mA, I
B2
= -20mA.
Static forward current
transfer ratio
h
FE
100
220
100
200
300
100
200
Transition frequency
f
T
50
70
MHz
Output capacitance
C
obo
12.9
20
pF
Delay time
t
d
t
r
t
s
t
f
95
ns
Rise time
73.8
ns
Storage time
1790
ns
Fall time
153.8
ns
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