參數(shù)資料
型號： ZXTP2008GTC
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
中文描述： 5.5 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261AA
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： ZXTP2008GTC
SUMMARY
BV
CEO
= -30V : R
SAT
= 31m ; I
C
= -5.5A
DESCRIPTION
Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 30V PNP transistor
offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits
and various driving and power management functions.
FEATURES
5.5 Amps continuous current
Up to 20 amps peak current
Very low saturation voltages
Exceptional gain linearity down to 10mA
APPLICATIONS
DC - DC converters
MOSFET gate drivers
Charging circuits
Power switches
Motor control
DEVICE MARKING
ZXTP
2008
ZXTP2008G
ISSUE 1 - J UNE 2005
30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
1
PINOUT
TOP VIEW
SOT223
DEV ICE
REEL
SIZE
TAPE
WIDTH
QUANTITY PER
REEL
ZX TP2008GTA
7”
12mm
embossed
1,000 units
ZX TP2008GTC
13”
4,000 units
ORDERING INFORMATION
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PDF描述
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ZXTP2008ZTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30V PNP Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2009Z 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR
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ZXTP2012A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V PNP Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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