參數(shù)資料
型號： ZXTP2008Z
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 30V PNP LOW SATURATION MEDUIM POWER TRANSISTOR IN SOT89
中文描述： 30V的進(jìn)步黨低飽和MEDUIM功率晶體管SOT89
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： ZXTP2008Z
ZXTP2008Z
ISSUE 1 - J UNE 2005
3
CHARACTERISTICS
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PDF描述
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參數(shù)描述
ZXTP2008ZTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30V PNP Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2009Z 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR
ZXTP2009ZTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V PNP Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2012A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V PNP Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2012ASTOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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