參數(shù)資料
型號(hào)： ZXTP2008ZTA
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 30V PNP LOW SATURATION MEDUIM POWER TRANSISTOR IN SOT89
中文描述： 5.5 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 111K
代理商： ZXTP2008ZTA
ZXTP2008Z
ISSUE 1 - J UNE 2005
3
CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTP2009Z 40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
ZXTP2009ZTA 40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
ZXTP2012A 60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE
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ZXTP2012ASTZ 60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTP2009Z 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR
ZXTP2009ZTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V PNP Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2012A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V PNP Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2012ASTOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2012ASTZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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