參數(shù)資料
型號： ZXTP2009Z
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
中文描述： 進步黨40V的高增益低飽和中功率晶體管SOT89
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 123K
代理商： ZXTP2009Z
ZXTP2009Z
S E M IC O N D U C T O R S
ISSUE 1 - J UNE 2005
4
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS
Collector-base breakdown voltage
BV
CBO
BV
CES
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE(S AT)
-50
-90
V
I
C
=-100 A
I
C
=-100 A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-40V
V
CB
=-32V
V
EB
=-6V
I
C
=-0.1A, I
B
=-10mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-1A, I
B
=-50mA*
I
C
=-1A, I
B
=-10mA*
I
C
=-2A, I
B
=-200mA*
I
C
=-2A, I
B
=-40mA*
I
C
=-3.5A, I
B
=-175mA*
I
C
=-5.5A, I
B
=-550mA*
I
C
=-2A, I
B
=-40mA*
I
C
=-5.5A, I
B
=-550mA*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
C
=-5.5A, V
CE
=-2V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-0.5A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
C
=-5.5A, V
CE
=-2V*
MHz I
C
=-50mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
Collector-emitter breakdown voltage
-50
-90
V
Collector-emitter breakdown voltage
-40
-58
V
Emitter-base breakdown voltage
-7.5
-8.3
V
Collector cut-off current
1
-20
nA
Collector cut-off current
1
-20
nA
Emitter cut-off current
1
-20
nA
Collector-emitter saturation voltage
-15
-44
-50
-120
-70
-125
-130
-162
-30
-60
-70
-165
-80
-175
-175
-185
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
Base-emitter saturation voltage
V
BE(S AT)
-820
-1000
-900
-1075
mV
mV
Base-emitter turn-on voltage
V
BE(ON)
-778
-869
-850
-950
mV
mV
Static forward current transfer ratio
H
FE
200
200
170
110
390
350
290
175
550
Transition frequency
f
T
152
Output capacitance
C
OBO
t
d
t
r
t
s
t
r
t
d
t
r
t
s
t
r
53
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz*
I
C
=-1A, V
CC
=-10V,
I
B1
=I
B2
=-100mA
Switching times
18
17
325
60
ns
Switching times
55
107
264
103
ns
I
C
=-2A, V
CC
=-30V,
I
B1
=I
B2
=-20mA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
* Measured under pulsed conditions. Pulse width
300 s; duty cycle
2%.
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PDF描述
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ZXTP2012A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V PNP Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2012ASTOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2012ASTZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2012G 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
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