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參數(shù)資料
| 型號： | μPD431232AL |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 1M CMOS synchronous Fast static RAM(1M 位CMOS 同步快速靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 100萬的CMOS同步快速靜態(tài)RAM（100萬位的CMOS同步快速靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 1/20頁 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | ΜPD431232AL |
1996
DATA SHEET
Description
The
μ
PD431232AL is a 32,768-word by 32-bit synchronous static RAM fabricated with advanced CMOS
technology using N-channel memory cell.
The
μ
PD431232AL integrates unique synchronous peripheral circuitry, 2-bit burst counter and output buffer
as well as SRAM core.
All input registers are controlled by a positive edge of the single clock input (CLK).
The
μ
PD431232AL is suitable for applications which require synchronous operation, high speed, low voltage,
high density and wide bit configuration, such as cache and buffer memory.
ZZ pin has to be set LOW at the normal operation. When ZZ is set HIGH, the SRAM enters Power Down State
(“Sleep”). In the “Sleep” state, the SRAM internal state is preserved. When ZZ pin is set LOW again, the SRAM
resumes normal operation.
The
μ
PD431232AL is packaged in 100-pin plastic TQFP with a 1.4 mm package thickness (LQFP in EIAJ)
for high density and low capacitive loading.
Features
Single 3.3 V power supply
Synchronous operation
Burst Read/Write: Interleaved burst and Linear burst sequence
Fully registered inputs and outputs for Pipelined operation
LVTTL compatible: All inputs and outputs
Fast clock access time: 7ns/83 MHz, 8 ns/66 MHz, 10 ns/60 MHz, 12 ns/50 MHz
Asynchronous output enable: G
Burst sequence selectable: MODE
Power down (Sleep) mode: ZZ (ZZ = Open or Low: Normal operation)
Separate byte write enable: BW1-BW4, BWE and global write enable: GW
Three chip enables for easy depth expansion
Common I/O using three state outputs
5 V - tolerant inputs (except I/O pins)
μ
PD431232AL
MOS INTEGRATED CIRCUIT
The mark shows major revised points.
1M-BIT CMOS SYNCHRONOUS FAST SRAM
32K-WORD BY 32-BIT
Document No. M10145EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published
January 1997 N
Printed in Japan
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| μPD431532L | 1M-Bit CMOS Synchronous Fast SRAM(1M CMOS同步快速靜態(tài)RAM) |
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| μPD431632L | 1M-Bit CMOS Synchronous Fast SRAM(1M CMOS同步靜態(tài)RAM) |
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| μPD43256B | 256K-Bit CMOS Static RAM(256K CMOS 靜態(tài)存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PD43-123M | 功能描述:固定電感器 12uH 20% .21ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm |
| PD431407 | 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 1400V 700A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND |
| PD43-152M | 功能描述:固定電感器 1.5uH 20% .056ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm |
| PD43-153M | 功能描述:固定電感器 15uH 20% .235ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm |
| PD431607 | 功能描述:SCR MODULE ISO DUAL 1600V 700A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND |
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