參數(shù)資料
型號： μPD431232AL
廠商： NEC Corp.
英文描述： 1M CMOS synchronous Fast static RAM(1M 位CMOS 同步快速靜態(tài)RAM)
中文描述： 100萬的CMOS同步快速靜態(tài)RAM（100萬位的CMOS同步快速靜態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 8/20頁
文件大?。?/td> 178K
代理商： ΜPD431232AL
μ
PD431232AL
8
Electrical Characteristics
The device is tested under the minimum transverse air flow of 2.5 meters per second for the DC and AC
specifications shown in the tables.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Supply voltage
V
CC
–0.5 to +4.6
V
Output supply voltage
V
CC
Q
–0.5 to V
CC
V
Input voltage
V
IN
–0.5
Note
to +6.0
V
Input/Output voltage
V
I/O
–0.5
Note
to V
CC
Q + 0.5
V
Operating ambient temperature
T
A
0 to +70
C
Storage temperature
T
stg
–55 to +125
C
Note
–2.5 V (MIN.) (Pulse width: 3 ns)
Caution
Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
Recommended Operating Conditions
Parameter
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Supply voltage
V
CC
3.1
3.3
3.6
V
Output supply voltage
V
CC
Q
3.1
3.3
3.6
V
High level input voltage-Input pins
V
IH(IN)
2.0
5.5
V
High level input voltage-I/O pins
V
IH(I/O)
2.0
V
CC
Q + 0.3
V
Low level input voltage
V
IL
–0.5
Note
+0.8
V
Operating ambient temperature
T
A
0
+70
C
Note
–2.5 V (MIN.) (Pulse width: 3 ns)
Capacitance (T
A
= +25 C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Input capacitance
C
IN
V
IN
= 0 V
4
pF
Input/Output capacitance
C
I/O
V
I/O
= 0 V
7
pF
Clock input capacitance
C
clk
V
clk
= 0 V
4
pF
Remarks 1.
V
IN
: Input voltage
2.
These parameters are periodically sampled and not 100 % tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
μPD431532L 1M-Bit CMOS Synchronous Fast SRAM(1M CMOS同步快速靜態(tài)RAM)
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μPD431632L 1M-Bit CMOS Synchronous Fast SRAM(1M CMOS同步靜態(tài)RAM)
μPD43256B-X 256K-Bit CMOS Static RAM(256K CMOS 靜態(tài)RAM)
μPD43256B 256K-Bit CMOS Static RAM(256K CMOS 靜態(tài)存儲器)
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參數(shù)描述
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PD431607 功能描述:SCR MODULE ISO DUAL 1600V 700A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個(gè)二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
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