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參數(shù)資料
| 型號： | 12F100 |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DO-4, 1 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | 12F100 |
12F(R) Series
5
Bulletin I20205 rev. C 05/06
www.irf.com
Fig. 3 - Forward Power Loss Characteristics
025
50
75
100
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
R
= 8
K/W
- D
elta
R
thS
A
6 K
/W
10
K/W
12 K
/W
15 K/W
20 K/W
30 K/W
0
2
4
6
8
10
12
14
02468
10
12
14
Average Forward Current (A)
RMS Limit
M
a
xi
m
u
m
A
ve
rag
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
e
rLos
s(W
)
Conduction Angle
180°
120°
90°
60°
30°
12F(R) Series
T = 175°C
J
Fig. 4 - Forward Power Loss Characteristics
0
25
50
75
100
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
R
= 6
K/W
- De
lta R
thS
A
8 K/W
10 K/W
12 K/W
15 K/W
20 K/W
30 K/W
0
4
8
12
16
20
0
4
8
121620
DC
180°
120°
90°
60°
30°
Average Forward Current (A)
RMS Limit
M
a
xi
m
u
m
A
ve
rag
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
er
Lo
ss
(W
)
Conduction Period
12F(R) Series
T = 175°C
J
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
100
125
150
175
200
225
250
110
100
P
e
ak
H
a
lfS
ine
W
a
ve
F
o
rw
ard
C
u
rren
t(
A
)
Number Of Equal Amplitude Half Cycle Current Pulses (N)
12F(R) Series
Initial T = 175°C
@60 Hz 0.0083 s
@50 Hz 0.0100 s
J
At Any Rated Load Condition And With
Rated V
Applied Following Surge.
RRM
100
125
150
175
200
225
250
275
0.01
0.1
1
P
eak
H
a
lfS
in
e
W
a
ve
F
o
rw
ar
d
C
ur
re
n
t(
A
)
Pulse Train Duration (s)
12F(R) Series
Initial T = 175°C
No Voltage Reapplied
Rated V
Reapplied
RRM
J
Versus Pulse Train Duration.
Maximum Non Repetitive Surge Current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 12F60 | 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 12FR120M | 12 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 12N50W-6 | 0 MHz - 12400 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| 12N50W-6M | 0 MHz - 12400 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| 12N50W-6F | 0 MHz - 12400 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 12F-100 | 制造商:TRSYS 制造商全稱:Transys Electronics 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODE |
| 12F1002TRF | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 12F100B | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:6,12 and 16 Amp Diffused Silicon Rectifier Diodes |
| 12F100B BN R Y | 功能描述:DIODE 1000V 12A COM CATHODE DO-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 12F100M | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Standard Recovery Diodes (Stud Version), 12 A |
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