參數(shù)資料
型號: 12F100
元件分類: 整流器
英文描述: 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA
封裝: ROHS COMPLIANT, DO-4, 1 PIN
文件頁數(shù): 6/6頁
文件大?。?/td> 137K
代理商: 12F100
12F(R) Series
6
Bulletin I20205 rev. C 05/06
www.irf.com
Fig. 7 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 8 - Thermal Impedance Z
thJC Characteristics
1
10
100
1000
012
34
56
T = 25°C
J
In
st
an
taneous
F
o
rw
ard
C
ur
ren
t(
A
)
Instantaneous Forward Voltage (V)
12F(R) Series
T = 175°C
J
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
th
JC
T
ra
n
si
e
nt
T
he
rm
al
Im
p
e
da
nce
Z
(K
/W
)
12F(R) Series
Steady State Value
R
= 2.0 K/W
(DC Operation)
thJC
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233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7309
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Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for Industrial and Consumer Level.
Qualification Standards can be found on IR's Web site.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
12F60 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA
12FR120M 12 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA
12N50W-6 0 MHz - 12400 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
12N50W-6M 0 MHz - 12400 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
12N50W-6F 0 MHz - 12400 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
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參數(shù)描述
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12F100M 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Standard Recovery Diodes (Stud Version), 12 A