參數(shù)資料
型號: 1N4935-E3/54
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大?。?/td> 68K
代理商: 1N4935-E3/54
Document Number: 88508
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Revision: 27-Oct-09
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1
Fast Switching Plastic Rectifier
1N4933 thru 1N4937
Vishay General Semiconductor
FEATURES
Fast switching for high efficiency
Low forward voltage drop
Low leakage current
High forward surge capability
Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
Compliant
to
RoHS
directive
2002/95/EC
and
in
accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in fast switching rectification of power supply,
inverters, converters and freewheeling diodes for consumer
and telecommunication.
Note
These devices are not AEC-Q101 qualified.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AL, molded epoxy body
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Terminals:
Matte
tin
plated
leads,
solderable
per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
PRIMARY CHARACTERISTICS
IF(AV)
1.0 A
VRRM
50 V to 600 V
IFSM
30 A
trr
200 ns
IR
5.0 μA
VF
1.2 V
TJ max.
150 °C
DO-204AL (DO-41)
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
1N4933
1N4934
1N4935
1N4936
1N4937
UNIT
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
50
100
200
400
600
V
Maximum RMS voltage
VRMS
35
70
145
280
420
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
50
100
200
400
600
V
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5 mm) lead length at TA= 75 °C
IF(AV)
1.0
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
IFSM
30
A
Maximum reverse recovery current
IRM
2.0
A
Operating junction and storage temperature range
TJ, TSTG
- 50 to + 150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
SYMBOL
1N4933
1N4934
1N4935
1N4936
1N4937
UNIT
Maximum instantaneous
forward voltage
1.0 A
VF
1.2
V
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
TA= 25 °C
IR
5.0
μA
TA= 100 °C
100
Maximum reverse recovery time
IF = 1.0 A, VR = 30 V,
dI/dt = 50 A/μs, Irr = 10 % IRM
trr
200
ns
Typical junction capacitance
4.0 V, 1 MHz
CJ
12
pF
相關PDF資料
PDF描述
1N4936-E3/73 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
1N4937-E3/54 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
1N4942GP-E3 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
1N4942GP/73 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
1N4942GP/4E 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
1N4935G 功能描述:整流器 200V 1A Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N4935G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000
1N4935G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000
1N4935G R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 T/R
1N4935G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000