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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5805 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-COLORADO |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
| 中文描述： | 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS, A, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 318K |
| 代理商： | 1N5805 |
VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED
ULTRAFAST RECOVERY GLASS
RECTIFIERS
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 2
Copyright
2004
7-16-2004 REV A
W
M
.
C
SCOTTSDALE DIVISION
1N5802 thru 1N5806
1
SYMBOLS & DEFINITIONS
Definition
Symbol
V
BR
Minimum Breakdown Voltage: The minimum voltage the device will exhibit at a specified current
Working Peak Reverse Voltage: The maximum peak voltage that can be applied over the operating temperature
range
Average Rectified Output Current: Output Current Averaged over a full cycle with a 50 Hz or 60 Hz sine-wave
input and a 180 degree conduction angle
Maximum Forward Voltage: The maximum forward voltage the device will exhibit at a specified current
Maximum Leakage Current: The maximum leakage current that will flow at the specified voltage and temperature
Capacitance: The capacitance in pF at a frequency of 1 MHz and specified voltage
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
Reverse Recovery Time: The time interval between the instant the current passes through zero when changing
from the forward direction to the reverse direction and a specified recovery decay point after a peak reverse
current occurs.
GRAPHS
FIGURE 1
OUTPUT CURRENT vs. LEAD TEMP.
PACKAGE DIMENSIONS inches/[mm]
NOTE: Lead tolerance = +0.002/-0.003 inches
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5805US | RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
| 1N5806 | 2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS |
| 1N5806US | RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
| 1N5804 | 2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS |
| 1N5804US | MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5805US | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
| 1N5806 | 功能描述:DIODE 150V 2.5A 25NS AXIAL RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 1N5806/TR | 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:A，軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 |
| 1N5806C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 1N5806CSM4 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:HIGH EFFICIENCY POWER RECTIFIER IN A CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE |
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