參數(shù)資料
型號(hào): 1N5818
廠商: FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.
英文描述: 1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
中文描述: 1安培肖特基整流
文件頁數(shù): 4/9頁
文件大小: 37K
代理商: 1N5818
1996 May 03
4
Philips Semiconductors
Product specication
Schottky barrier diodes
1N5817; 1N5818; 1N5819
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C; unless otherwise specied.
Note
1. Pulsed test: tp = 300 s; δ = 0.02.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Refer to SOD81 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
VF
forward voltage
see Fig.2
1N5817
IF = 0.1 A
320
mV
IF =1A
450
mV
IF =3A
750
mV
VF
forward voltage
see Fig.2
1N5818
IF = 0.1 A
330
mV
IF =1A
550
mV
IF =3A
875
mV
VF
forward voltage
see Fig.2
1N5819
IF = 0.1 A
340
mV
IF =1A
600
mV
IF =3A
900
mV
IR
reverse current
VR =VRRMmax; note 1
1
mA
VR =VRRMmax; Tj = 100 °C
10
mA
Cd
diode capacitance
VR = 4 V; f = 1 MHz
1N5817
80
pF
1N5818
50
pF
1N5819
50
pF
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
100
K/W
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PDF描述
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參數(shù)描述
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1N5818 A0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:550mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:55pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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