參數資料
型號: 1N5818RL
廠商: 意法半導體
英文描述: IC ENCORE XP MCU FLASH 4K 28SSOP
中文描述: 低壓差功率肖特基整流器
文件頁數: 4/9頁
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代理商: 1N5818RL
1996 May 03
4
Philips Semiconductors
Product specication
Schottky barrier diodes
1N5817; 1N5818; 1N5819
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C; unless otherwise specied.
Note
1. Pulsed test: tp = 300 s; δ = 0.02.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Refer to SOD81 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
VF
forward voltage
see Fig.2
1N5817
IF = 0.1 A
320
mV
IF =1A
450
mV
IF =3A
750
mV
VF
forward voltage
see Fig.2
1N5818
IF = 0.1 A
330
mV
IF =1A
550
mV
IF =3A
875
mV
VF
forward voltage
see Fig.2
1N5819
IF = 0.1 A
340
mV
IF =1A
600
mV
IF =3A
900
mV
IR
reverse current
VR =VRRMmax; note 1
1
mA
VR =VRRMmax; Tj = 100 °C
10
mA
Cd
diode capacitance
VR = 4 V; f = 1 MHz
1N5817
80
pF
1N5818
50
pF
1N5819
50
pF
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
100
K/W
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PDF描述
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相關代理商/技術參數
參數描述
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1N5818S 制造商:SY 制造商全稱:SY 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
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1N5818-T 功能描述:肖特基二極管與整流器 Vr/30V Io/1A T/R RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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