參數(shù)資料
型號: 1N5999
廠商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類: 齊納二極管
英文描述: Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·¥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?£°???é???o3?o???????)
中文描述: 9.1 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
封裝: HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大小: 228K
代理商: 1N5999
Axial-Leaded 500 mW Zener Diodes
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N5985 thru 1N6031-1, e3 DO-35
1N5985
1N6031-1,
e3
GRAPHS
Microsemi
Scottsdale Division
Page 3
Copyright
2006
5-09-2006 REV B
TL Lead Temperature at 3/8” From Body
or TA on FR4 PC Board
FIGURE 1
POWER DERATING CURVE
FIGURE 2
CAPACITANCE vs. ZENER VOLTAGE
(TYPICAL)
Pd,
Rated
Pow
e
rDissipation
(mW)
PACKAGE DIMENSIONS
All dimensions in INCH
mm
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
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PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
1N5999A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 9.1V 10% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO-35
1N5999B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5999B BK 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500
1N5999B R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 9V1
1N5999B TR 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000