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2SA1179N6-TB-E

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    2SA1179N6-TB-E

    2SA1179N6-TB-E

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

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  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT BIP PNP 0.15A 50V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2SA1179N6-TB-E 技術參數(shù)
  • 2SA1179N6-CPA-TB-E 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:* 標準包裝:3,000 2SA1163-GR,LF 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SA1163-BL,LF 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):350 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SA1162YT1 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SC-59 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:3,000 2SA1162-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SA1242-Y(Q) 2SA1244-Y(Q) 2SA1294 2SA1295 2SA1298-Y,LF 2SA1303 2SA1309A0A 2SA1309AQA 2SA1309ARA 2SA1309ASA 2SA1312-BL(TE85L,F 2SA1312GRTE85LF 2SA1313-O(TE85L,F) 2SA1313-Y,LF 2SA1315-Y,HOF(M 2SA1315-Y,T6ASNF(J 2SA1381CSTU 2SA1381DSTU
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