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2SA1201-Y-TP

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
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  • 1
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  • 功能描述
  • TRANS PREBIAS PNP 120V SOT89
  • 制造商
  • micro commercial co
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 晶體管類型
  • PNP
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 800mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 120V
  • 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值)
  • 1V @ 50mA,500mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 100nA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 80 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大值
  • 1W
  • 頻率 - 躍遷
  • 120MHz
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-243AA
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SOT-89
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
2SA1201-Y-TP 技術(shù)參數(shù)
  • 2SA1186 功能描述:TRANS PNP 150V 10A MT-100 TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 500mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 3A,4V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:510 2SA1182-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA1182-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA1182-GR(TE85L,F 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA1179N6-TB-E 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):135 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SA1303 2SA1309A0A 2SA1309AQA 2SA1309ARA 2SA1309ASA 2SA1312-BL(TE85L,F 2SA1312GRTE85LF 2SA1313-O(TE85L,F) 2SA1313-Y,LF 2SA1315-Y,HOF(M 2SA1315-Y,T6ASNF(J 2SA1381CSTU 2SA1381DSTU 2SA1381ESTU 2SA1381FSTU 2SA1382,T6MIBF(J 2SA1386 2SA1386A
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