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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F320C3 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 32M X 8 FLASH 3V PROM |
| 文件頁數(shù)： | 35/59頁 |
| 文件大小： | 321K |
| 代理商： | 28F320C3 |
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E
4.7
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3
35
PRELIMINARY
Erase and Program Timings
(1)
V
PP
1.65 V
–3.6 V
11.4 V–12.6 V
Symbol
Parameter
Note
Typ
(1)
Max
Typ
(1)
Max
Unit
t
BWPB
4-KW Parameter Block
Word Program Time
2, 3
0.10
0.30
0.03
0.12
s
t
BWMB
32-KW Main Block
Word Program Time
2, 3
0.8
2.4
0.24
1
s
t
WHQV1
/ t
EHQV1
Word Program Time
2, 3
22
200
8
185
μs
t
WHQV2
/ t
EHQV2
4-KW Parameter Block
Erase Time
2, 3
0.5
4
0.4
4
s
t
WHQV3
/ t
EHQV3
32-KW Main Block
Erase Time
2, 3
1
5
0.6
5
s
t
WHRH1
/ t
EHRH1
Program Suspend Latency
3
5
10
5
10
μs
t
WHRH2
/ t
EHRH2
Erase Suspend Latency
3
5
20
5
20
μs
NOTES:
1.
2.
3.
Typical values measured at T
A
=
+25 °C and nominal voltages.
Excludes external system-level overhead.
Sampled, but not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F800C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F160C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F320D18 | 1.8 Volt Intel Dual-Plane Flash Memory(1.8 V Intel 雙平面閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F320J5 | 5 Volt Intel StrataFlash Memory(5 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器) |
| 28F640J5 | 5 V Intel StrataFlash Memory(5V 64M位英特爾StrataFlash閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F320J3D75 | 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F320J5 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash MEMORY TECHNOLOGY 32 AND 64 MBIT |
| 28F320J5_02 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory |
| 28F320S3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:WORD-WIDE FlashFile MEMORY FAMILY |
| 28F320S5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:WORD-WIDE FlashFile MEMORY FAMILY |
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