參數(shù)資料
型號(hào)： 28F640C3
廠商： Intel Corp.
英文描述： 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 3伏高級(jí)啟動(dòng)塊閃存（3伏高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器）
文件頁數(shù)： 44/70頁
文件大小： 894K
代理商： 28F640C3
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3
38
3UHOLPLQDU\
NOTES:
1. CE# must be toggled low when reading Status Register Data. WE# must be inactive (high) when reading
Status Register Data.
a. V
CC
Power-Up and Standby.
b. Write Program or Erase Setup Command.
c. Write Valid Address and Data (for Program) or Erase Confirm Command.
d. Automated Program or Erase Delay.
e. Read Status Register Data (SRD): reflects completed program/erase operation.
f.
Write Read Array Command.
Figure 9. AC Waveform: Program and Erase Operations
A
IN
A
IN
A
B
C
D
E
F
W11
D
IN
W10
Valid
SRD
D
IN
D
IN
W7
W3
W4
High Z
W2
W9
W6
W5
W8
V
IH
V
IL
ADDRESSES [A]
V
IH
V
IL
V
IH
CE# (WE#) [E(W)]
V
IL
OE# [G]
V
IH
V
IL
WE# (CE) [W(E)]
V
IH
V
IL
DATA [D/Q]
V
IH
V
IL
WP#
V
PPH
1
V
PPLK
V
IL
V
PP
[V]
V
PPH
2
V
IH
V
IL
RP# [P]
(Note 1)
(Note 1)
W13
W12
W1
W14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F640J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
28LV64A 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM)
28M0U 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0DC 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0DS 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
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參數(shù)描述
28F640C3BC80 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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28F640J3C-120 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J3D75 制造商:Intel 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J5 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory
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