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參數(shù)資料
| 型號： | 29F400B-90PI |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4MEGABIT（為512k × 8 / 256K × 16）5VOLT扇區(qū)擦除的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 23/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 240K |
| 代理商： | 29F400B-90PI |
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BRIGHT Preliminary BM29F400T/BM29F400B
Microelectronics
Inc.
A Winbond Company
Publication Release Date: May 1999
- 23 -
Revision A1
DC Characteristics, continued
CMOS Compatible
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Input Load Current
I
LI
V
IN
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
±
1.0
uA
A9 Input Load Current
I
LIT
V
CC
= V
CC
Max., A9 = 12.5 V
±
1.0
uA
Output Leakage Current
V
CC
Active Current
(1)
I
LO
V
OUT
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
±
1.0
uA
I
CC1
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
Byte
40
mA
Word
50
mA
V
CC
Active Current
(2,3)
I
CC2
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
60
mA
V
CC
Standby Current
I
CC3
V
CC
= V
CC
Max.,
CE
= V
CC
±
0.5V,
RESET
= V
CC
±
0.5V
100
uA
Vcc Standby Current
(
RESET
)
I
CC4
V
CC
= V
CC
Max.,
RESET
= V
SS
±
0.5V
100
uA
Input Low Level
V
IL
-0.5
0.8
V
Input High Level
V
IH
0.7 x V
CC
V
CC
+ 0.3
V
Voltage for Electronic ID
and Sector Protect
V
ID
V
CC
= 5.0 V
11.5
12.5
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 5.8 mA, V
CC
= V
CC
Min.
0.45
V
Output High Voltage
V
OH1
I
OH
= -2.5 mA, V
CC
= V
CC
Min.
0.85 x V
IH
V
V
OH2
I
OH
= -100 mA, V
CC
= V
CC
Min.
V
CC
-0.4
V
Low V
CC
Lock-out Voltage
V
LKO
3.2
4.2
V
Notes:
1.The I
CC
current listed includes both the DC operating current and the frequency dependent component (at 6 Mhz). The frequency
component typically is less than 2 mA/MHz, with OE at V
IH
.
2. I
CC
active while Internal Algorithm (program or erase) is in progress.
3. Not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 29F400B-90TC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
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參數(shù)描述 |
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