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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 29F400T-12PI |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4MEGABIT（為512k × 8 / 256K × 16）5VOLT扇區(qū)擦除的CMOS閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 32/38頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 240K |
| 代理商： | 29F400T-12PI |
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BRIGHT Preliminary BM29F400T/BM29F400B
Microelectronics
Inc.
- 32 -
AC CHARACTERISTICS
Programming/Erase Operations
PARAMETER
SYM.
DESCRIPTION
JEDEC
Standard
-90
-120
-150
Unit
tAVAV
tAVEL
tELAX
tDVEH
tEHDX
tWC
tAS
tAH
tDS
tDH
tOES
tOEH
Write Cycle Time(1)
Min.
90
120
150
nS
Address Setup Time
Min.
0
0
0
nS
Address Hold Time
Min.
45
50
50
nS
Data Setup Time
Min.
45
50
50
nS
Data Hold Time
Output Enable Setup Time(1)
Min.
0
0
0
nS
Min.
0
0
0
nS
Output Enable
Read(1)
Min.
0
0
0
nS
Hold Time
Toggle and Data Polling(1)
Min.
10
10
10
nS
tGHWL
tWLEL
tGHWL
tWS
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
nS
WE Setup Time
Min.
0
0
0
nS
tEHWH
tWH
WE Hold Time
Min.
0
0
0
nS
tELEH
tCP
CE Pulse Width
Min.
45
50
50
nS
tEHEL
tCPH
CE Pulse Width High
Min.
20
20
20
nS
tWHWH1
tWHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
16
16
16
mS
Max.
400
400
400
mS
tWHWH2
tWHWH2
Sector Erase Operation(2)
Typ.
0.26
0.26
0.26
sec
Max.
12
12
12
sec
tWHWH3
tWHWH3
Chip Erase Operation(2)
Typ.
2.0
2.0
2.0
sec
Max.
90
90
90
sec
tVCS
tVIDR
tVLHT
tWPP1
tWPP2
tOESP
Vcc Setup Time(1,3)
Rise Time to V
ID
(1,3)
Voltage Transition Time(1,3)
Sector Protect Write Pulse Width(4)
Sector Unprotect Write Pulse Width(4)
Min.
50
50
50
mS
Min.
500
500
500
nS
Min.
4
4
4
mS
Min.
100
100
100
mS
Min.
10
10
10
mS
OE Setup Time to WE Active(1, 3)
Min.
4
4
4
mS
tCSP
OE Setup Time to WE Active(1, 4)
Min.
4
4
4
nS
Notes
:
1. Not 100% tested.
2. Does not include pre-programming time.
3. This timing is for Sector Unprotect operation.
4. Output Driver Disable Time.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F400T-12TC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400T-12TI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400T-90PC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400T-90PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400T-90TC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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