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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 29LV017B-90 |
| 廠(chǎng)商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 16M-BIT [2Mx8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1,600位[2Mx8] CMOS單電壓3V時(shí)僅閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/55頁(yè) |
| 文件大小： | 355K |
| 代理商： | 29LV017B-90 |
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25
P/N:PM1086
MX29LV017B
REV. 1.1, DEC. 07, 2004
29LV017B-70
29LV017B-90
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
70
90
ns
tAS
Address Setup Time
0
0
ns
tAH
Address Hold Time
45
45
ns
tDS
Data Setup Time
35
45
ns
tDH
Data Hold Time
0
0
ns
tOES
Output Enable Setup Time
0
0
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
0
0
ns
(OE# High to WE# Low)
tCS
CE# Setup Time
0
0
ns
tCH
CE# Hold Time
0
0
ns
tWP
Write Pulse Width
35
35
ns
tWPH
Write Pulse Width High
30
30
ns
tWHWH1
Programming Operation (Note 2)
9(typ.)
9(typ.)
us
(Byte program time)
tWHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
0.7(typ.)
0.7(typ.)
sec
tVCS
VCC Setup Time (Note 1)
50
50
us
tRB
Recovery Time from RY/BY#
0
0
ns
tBUSY
Sector Erase Valid to RY/BY# Delay
90
90
ns
Chip Erase Valid to RY/BY# Delay
90
90
ns
Program Valid to RY/BY# Delay
90
90
ns
tWPP1
Write pulse width for sector
100ns
10us(typ.) 100ns
10us(typ.)
protect (A9, OE# Control)
tWPP2
Write pulse width for sector
100ns
12ms(typ.) 100ns
12ms(typ.)
unprotect (A9, OE# Control)
Notes :
1. Not 100% tested.
2. See the "Erase and Programming Performance" section for more information.
Table 10. Erase/Program Operations
AC CHARACTERISTICS
TA = -40
o
C to 85
o
C, VCC = 2.7V~3.6V
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