參數(shù)資料
型號： 29LV160C-90
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
中文描述： 1,600位[2Mx8/1Mx16] CMOS單電壓3V時(shí)僅閃存
文件頁數(shù)： 51/66頁
文件大?。?/td> 778K
代理商： 29LV160C-90
51
P/N:PM1186
MX29LV160C T/B
REV. 1.2, JAN. 19, 2006
Table 14. TEMPORARY SECTOR UNPROTECT
Parameter Std. Description
Test Setup
All Speed Options Unit
tVIDR
VID Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
tRSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector Unprotect
Min
4
us
Note:
Not 100% tested
Figure 26. TEMPORARY SECTOR UNPROTECT TIMING DIAGRAM
Figure 27. Q6 vs Q2 for Erase and Erase Suspend Operations
RESET#
CE#
WE#
RY/BY#
tVIDR
tVIDR
Program or Erase Command Sequence
12V
0 or Vcc
0 or Vcc
tRSP
Note :
The system can use OE# or CE# to toggle Q2/Q6, Q2 toggles only when read at an address within an erase-suspended
WE#
Enter Embedded
Erasing
Erase
Suspend
Enter Erase
Suspend Program
Erase
Suspend
Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Erase
Resume
Erase
Complete
Erase
Q6
Q2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
29LV320BTC-70 32 BIT 4M X 8 / 2M X 16 ] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
29LV400C-55R 4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
29LV400C-70 4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
29LV400C-90 4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
29LV650 64M (4M x 16) BIT
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參數(shù)描述
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29LV160DB-70EC 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
29LV160DB70EI 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
29LV160DB70SI 制造商: 功能描述:
29LV160DB-70SI 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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