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參數(shù)資料
| 型號： | 29LV400C-70 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4分位[為512k × 8 / 256K × 16] CMOS單電壓3V時僅閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 52/68頁 |
| 文件大?。?/td> | 906K |
| 代理商： | 29LV400C-70 |
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52
P/N:PM1155
MX29LV400C T/B
REV. 1.5, APR. 24, 2006
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
At Device Power-Up
AC timing illustrated in Figure A is recommended for the supply voltages and the control signals at device power-up.
If the timing in the figure is ignored, the device may not operate correctly.
Figure A. AC Timing at Device Power-Up
Notes :
1. Sampled, not 100% tested.
2. This specification is applied for not only the device power-up but also the normal operations.
Symbol
tVR
tR
tF
Parameter
VCC Rise Time
Input Signal Rise Time
Input Signal Fall Time
Notes
1
1,2
1,2
Min.
20
Max.
500000
20
20
Unit
us/V
us/V
us/V
VCC
ADDRESS
CE#
WE#
OE#
DATA
tVR
tACC
tR or tF
tCE
tF
VCC(min)
GND
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
High Z
VOL
WP#/ACC
VIH
VIL
Valid
Ouput
Valid
Address
tR or tF
tR
tOE
tF
tR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29LV400C-90 | 4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV650 | 64M (4M x 16) BIT |
| 29LV800BB-70 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BB-90 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29LV400C-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
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