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參數(shù)資料
| 型號： | 29LV400C-90 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4分位[為512k × 8 / 256K × 16] CMOS單電壓3V時僅閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 25/68頁 |
| 文件大?。?/td> | 906K |
| 代理商： | 29LV400C-90 |
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25
P/N:PM1155
MX29LV400C T/B
REV. 1.5, APR. 24, 2006
29LV400C-55R
29LV400C-70
29LV400C-90
SYMBOL PARAMETER
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
55
70
90
ns
tCWC
Command Write Cycle Time
55
70
90
ns
tAS
Address Setup Time
0
0
0
ns
tAH
Address Hold Time
45
45
45
ns
tDS
Data Setup Time
35
35
45
ns
tDH
Data Hold Time
0
0
0
ns
tOES
Output Enable Setup Time
0
0
0
ns
tGHEL
Read Recovery Time Before Write
0
0
0
ns
tWS
WE# Setup Time
0
0
0
ns
tWH
WE# Hold Time
0
0
0
ns
tCP
CE# Pulse Width
35
35
35
ns
tCPH
CE# Pulse Width High
30
30
30
ns
tWHWH1 Programming Byte
9(Typ.)
9(Typ.)
9(Typ.)
us
Operation(note2) Word
11(Typ.)
11(Typ.)
11(Typ.)
us
tWHWH2 Sector Erase Operation (note2)
0.7(Typ.)
0.7(Typ.)
0.7(Typ.)
sec
tVLHT
Voltage Transition Time
4
4
4
us
tOESP
OE# Setup Time to WE# Active
4
4
4
us
NOTE:
1. Not 100% tested.
2. See the "Erase and Programming Performance" section for more information.
AC CHARACTERISTICSTA = -40
o
C to 85
o
C, VCC = 2.7V~3.6V
Table 12. Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29LV650 | 64M (4M x 16) BIT |
| 29LV800BB-70 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BB-90 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BT-70 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BT-90 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 29LV512-15JU | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 29LV640 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:flash memory |
| 29LV640DL90RZI | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 29LV640MU90RPCI | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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