參數(shù)資料
型號： 2KBP06M-E4/51
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 橋式整流
英文描述： 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE KBPM, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： 2KBP06M-E4/51
2KBP005M thru 2KBP10M, 3N253 thru 3N259
Vishay General Semiconductor
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Document Number: 88532
Revision: 15-Apr-08
2
Note:
(1) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with, 0.47 x 0.47" (12 x 12 mm) copper pads
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST
CONDITIONS
SYMBOL
2KBP
005M
2KBP
01M
2KBP
02M
2KBP
04M
2KBP
06M
2KBP
08M
2KBP
10M
UNIT
3N253
3N254
3N255
3N256
3N257
3N258
3N259
Maximum instantaneous forward
voltage drop per diode
3.14 A
VF
1.1
V
Maximum DC reverse current at rated
DC blocking voltage per diode
TA = 25 °C
TA = 125 °C
IR
5.0
500
A
Typical junction capacitance per diode
4.0 V, 1 MHz
CJ
25
pF
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
2KBP
005M
2KBP
01M
2KBP
02M
2KBP
04M
2KBP
06M
2KBP
08M
2KBP
10M
UNIT
3N253
3N254
3N255
3N256
3N257
3N258
3N259
Typical thermal resistance (1)
RθJA
RθJL
30
11
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PREFERRED PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
2KBP06M-E4/45
1.895
45
30
Tube
2KBP06M-E4/51
1.895
51
600
Anti-static PVC tray
3N257-E4/45
1.895
45
30
Tube
3N257-E4/51
1.895
51
600
Anti-static PVC tray
Figure 1. Derating Curve Output Rectified Current
20
40
60
80
100
120
140
160 170
0
0.5
1.0
1.5
2.0
Capacitive Load
5.0
10
20
=
I(pk)
I(AV)
(Per Leg)
P.C.B. Mounted
with 0.47 x 0.47"
(12 x 12 mm)
Copper Pads
60 Hz Resistive or
Inductive Load
Ambient Temperature (°C)
A
v
er
age
F
o
rw
ard
O
u
tp
u
tC
u
rrent
(A)
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
T
J = 150 °C
Single Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
1.0 Cycle
相關PDF資料
PDF描述
2KBP02G 2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
2KBP06G 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
2KBP10G 2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
2MBI100S-120 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
2MBI400P-140 400 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2KBP06ML-36E4/51 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:單相 技術:標準 電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 工作溫度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:4-SIP，KBPM 供應商器件封裝:KBPM 標準包裝:600
2KBP06ML-5301E4/51 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:托盤 - 晶粒 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:單相 技術:標準 電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 工作溫度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:4-SIP，KBPM 供應商器件封裝:KBPM 標準包裝:600
2KBP06ML-5301E4/72 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:單相 技術:標準 電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 工作溫度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:4-SIP，KBPM 供應商器件封裝:KBPM 標準包裝:200
2KBP06ML-5303E4/51 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:單相 技術:標準 電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 工作溫度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:4-SIP，KBPM 供應商器件封裝:KBPM 標準包裝:600
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