參數(shù)資料
型號(hào): 2KBP06M-E4/51
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi): 橋式整流
英文描述: 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE KBPM, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 86K
代理商: 2KBP06M-E4/51
2KBP005M thru 2KBP10M, 3N253 thru 3N259
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88532
Revision: 15-Apr-08
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3
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics Per Diode
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
T
J = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
0
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
T
J = 100 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
0.1
1
10
100
1
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
Polarity shown on front side of case: positive lead by beveled corner
0.125 x 45°
(3.2)
0.600 (15.24)
0.560 (14.22)
0.034 (0.86)
0.028 (0.76)
0.105 (2.67)
0.085 (2.16)
0.160 (4.1)
0.140 (3.6)
0.060
(1.52)
0.460 (11.68)
0.50 (12.7) MIN.
0.420 (10.67)
0.500 (12.70)
0.460 (11.68)
0.60
(15.2)
MIN.
DIA.
0.200 (5.08)
0.180 (4.57)
Case Style KBPM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2KBP02G 2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
2KBP06G 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
2KBP10G 2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
2MBI100S-120 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
2MBI400P-140 400 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2KBP06ML-5301E4/72 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類(lèi)型:單相 技術(shù):標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - 峰值反向(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 工作溫度:-55°C ~ 165°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:4-SIP,KBPM 供應(yīng)商器件封裝:KBPM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200
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