參數(shù)資料
型號(hào)： 2MBI100U4A-120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大?。?/td> 431K
代理商： 2MBI100U4A-120
H04-004-03a
MS5F6061
13
4
Storage temperature
Isolation
voltage
Turn-off time
Forward on voltage
Reverse recovery time
Lead resistance,
terminal-chip (*3)
(*3) Biggest internal terminal resistance among arm.
between terminal and copper base (*1)
Mounting (*2)
Terminals (*2)
Zero gate voltage
collector current
Gate-Emitter
leakage current
Gate-Emitter
threshold voltage
Screw
Torque
(*1) All terminals should be connected together when isolation test will be done.
-
Tj=125
o
C
VCE(sat)
(terminal)
VCE(sat)
(chip)
Cies
3. Absolute Maximum Ratings ( at Tc= 25
o
C unless otherwise specified )
Maximum
Ratings
1200
-40 to +125
VGES
Units
V
150
100
±20
VCES
Symbols
Conditions
300
200
100
Tc=80
o
C
Tc=25
o
C
Tc=80
o
C
Icp
1ms
Tstg
-Ic pulse
Pc
Tj
1ms
1 device
IGES
Collector Power Dissipation
Junction temperature
(*2) Recommendable Value : 2.5 to 3.5 Nm (M5)
Tj=125
o
C
Tj=25
o
C
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltage
mA
nA
Units
200
540
+150
4. Electrical characteristics ( at Tj= 25
o
C unless otherwise specified )
-Ic
V
-
-
-
2.05
2.25
1.90
2.10
11
0.32
0.10
2.20
-
2.05
-
-
1.20
0.60
-
1.00
0.30
1.95
-
-
-
-
W
Ic=100A
VGE=15V
Tj=25
o
C
V
Collector current
Ic
Continuous
Tc=25
o
C
A
N m
o
C
Viso
AC : 1min.
2500
VAC
Items
Conditions
Symbols
typ.
max.
Characteristics
min.
ICES
-
-
1.0
VGE=0V
VCE=0V
VGE=±20V
VCE=20V
VCE=1200V
-
-
200
V
Ic=100mA
VGE(th)
4.5
VCE=10V,VGE=0V,f=1MHz
Vcc=600V
Ic=100A
6.5
8.5
nF
ton
tr
us
tr(i)
toff
VGE=±15V
RG=5.6
Ω
-
-
0.03
0.41
0.07
1.80
tf
VF
(terminal)
VF
(chip)
trr
-
-
IF=100A
VGE=0V
Tj=25
o
C
Tj=125
o
C
Tj=25
o
C
V
-
-
-
1.90
1.65
1.75
-
-
1.80
-
0.35
IF=100A
-
Tj=125
o
C
1.39
-
m
Ω
-
Items
3.5
us
R lead
Collector-Emitter
saturation voltage
Input capacitance
Turn-on time
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PDF描述
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