參數(shù)資料
型號(hào)： 2MBI300U4E-120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： 450 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大小： 440K
代理商： 2MBI300U4E-120
H04-004-03a
MS5F6058
13
a
4
Storage temperature
Isolation
voltage
Screw
Torque
(*1) All terminals should be connected together when isolation test will be done.
-
Tj=125
o
C
VCE(sat)
(terminal)
VCE(sat)
(chip)
Cies
3. Absolute Maximum Ratings ( at Tc= 25
o
C unless otherwise specified )
Maximum
Ratings
1200
±20
VGES
Units
V
Symbols
Conditions
Gate-Emitter voltage
Items
VCES
1ms
1 device
900
600
Tc=80
o
C
Tc=25
o
C
Tc=80
o
C
1ms
V
-
-
-
2.10
2.30
-
1.90
2.10
34
0.32
0.10
2.05
-
-
1.20
0.60
-
1.00
0.30
1.95
IGES
Collector Power Dissipation
Junction temperature
(*2) Recommendable Value : Mounting 2.5 to 3.5 Nm (M5 or M6)
(*3) Recommendable Value : Terminals 3.5 to 4.5 Nm (M6)
Pc
Tj
Tj=125
o
C
Tj=25
o
C
Collector-Emitter voltage
mA
nA
Units
300
600
1810
+150
300
Tstg
V
A
W
450
Tc=25
o
C
Continuous
-Ic
-Ic pulse
2.25
Conditions
VCE=0V
VGE=±20V
VCE=20V
-
-40 to +125
-
600
Icp
Items
Collector current
Ic
4. Electrical characteristics ( at Tj= 25
o
C unless otherwise specified )
Viso
AC : 1min.
2500
VAC
Symbols
typ.
max.
Characteristics
min.
ICES
-
-
3.0
VGE=0V
VCE=1200V
V
Ic=300mA
Ic=300A
VGE=15V
6.5
8.5
VGE(th)
4.5
VCE=10V,VGE=0V,f=1MHz
Vcc=600V
Ic=300A
-
-
-
Tj=25
o
C
-
nF
ton
tr
us
tr(i)
toff
VGE=±15V
RG=2.0
Ω
-
-
0.03
0.41
tf
VF
(terminal)
-
-
0.07
1.80
VF
(chip)
trr
Tj=25
o
C
Tj=125
o
C
IF=300A
VGE=0V
Tj=25
o
C
Tj=125
o
C
V
-
-
-
1.90
1.65
1.75
-
-
1.80
-
0.35
IF=300A
-
between terminal and copper base (*1)
N m
Mounting (*2)
Terminals (*3)
3.5
4.5
o
C
(*4) Biggest internal terminal resistance among arm.
Zero gate voltage
collector current
Gate-Emitter
leakage current
Gate-Emitter
threshold voltage
m
Ω
-
us
R lead
Forward on voltage
Reverse recovery time
Lead resistance,
terminal-chip (*4)
0.45
-
Collector-Emitter
saturation voltage
Input capacitance
Turn-on time
Turn-off time
a
a
a
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PDF描述
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2MBI400NT-060-02 IGBT module
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