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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N3905J05Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 557K |
| 代理商： | 2N3905J05Z |
2N390
5
Typical Characteristics
Common-Base Open Circuit
Input and Output Capacitance
vs Reverse Bias Voltage
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
CA
P
A
CI
T
A
NCE
(
p
F
)
C obo
C ibo
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Ty pical Pulsed Current Gain
v s Collector Current
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
50
100
150
200
250
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
h
-
T
YPI
C
A
L
P
U
L
SED
C
U
R
EN
T
G
A
IN
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
V
= 1 .0V
CE
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
110
100
200
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
C
O
L
E
C
T
O
R
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
TA
G
E
(
V
)
C
CE
S
A
T
25 °C
- 40 °C
125°C
β = 10
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
110
100
200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
S
A
T
β = 10
25 °C
- 40 °C
125 °C
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
25
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
O
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
(
O
N
)
V
= 1V
CE
25 °C
- 40 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIE NT TEMP ERATURE ( C)
I
-C
O
L
LE
C
T
O
R
CU
RR
E
N
T
(
n
A)
A
CBO
°
V
= 25V
CB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3905D27Z | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N3905RA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3905TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3905TAR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3905TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3905TFR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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