參數(shù)資料
型號(hào)： 2N3906T93
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： SC-43, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 157K
代理商： 2N3906T93
UMT3906/SST3906/MMST3906/2N3906
Transistors
Rev.A
1/4
PNP General Purpose Transistor
UMT3906/SST3906/MMST3906/2N3906
Features
1) BVCEO>40V (IC=1mA)
2) Complements the T3904/SST3904/MMST3909/2N3904.
3) Low capacitance.
Package, marking, and packaging specifications
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
External dimensions (Unit : mm)
UMT3906
SST3906
MMST3906
2N3906
0 to 0.1
0.2Min.
2.4
±
0.2
1.3
0.95
0.45
±0.1
0.15
0.4
2.9
±0.2
1.9
±0.2
0.95 0.95
+
0.2
0.1
+ 0.2
+0.1
0.06
+0.1
0.05
(2)
(1)
(3)
0 to 0.1
2.8
±
0.2
1.6
0.3
to
0.6
1.1
0.8
±0.1
0.15
0.4
2.9
±0.2
1.9
±0.2
0.95 0.95
+
0.2 0.1
0.1
+0.2
+0.1
0.06
+0.1
0.05
(2)
(1)
(3)
0 to 0.1
(2)
(1)
(3)
0.1
to
0.4
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
0.9
±0.1
0.2
0.7
±0.1
0.15
±0.05
0.3
2.0
±0.2
1.3
±0.1
0.65 0.65
+0.1
0
4.8
±
0.2
(12.7Min.)
3Min.
4.8
±0.2
3.7
±0.2
5
0.45
±0.1
2.3
0.5
2.5 +0.3
0.1
(1)
(2)
(3)
All terminals have same dimensions
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : SST3
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : TO-92
EIAJ : SC-43
±0.1
Type
UMT3906
UMT3
R2A
T106
3000
SST3906
SST3
R2A
T116
3000
MMST3906
SMT3
R2A
T146
3000
2N3906
TO-92
T93
3000
Packaging type
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
Pd
Tj
Tstg
Limits
40
5
6.2
0.35
0.3
SST3906,MMST3906
UMT3906
2N3906
150
55 to +150
Unit
V
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
IO
0.2
Collector current
Collector Power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
A
W
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
Min.
Max.
Typ.
40
5
50
0.25
0.85
0.95
0.4
0.65
Unit
Conditions
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Emitter cutoff current
ICES
IEBO
Collector cutoff current
Emitter input capacitance
Delay time
Rise time
Storage tiem
Fall time
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
VCE(sat)
VBE(sat)
DC current transfer ratio
Transition frequency
Collector output capacitance
hFE
Cob
Cib
fT
60
30
250
4.5
10
35
225
75
80
100
300
td
tr
tstg
tf
V
nA
MHz
pF
ns
IC=
10A
IC=
1mA
IE=
10A
VCB=
30V
VEB=
3V
VCE=
1V, IC= 0.1mA
VCE=
1V, IC= 1mA
VCE=
1V, IC= 10mA
VCE=
1V, IC= 50mA
VCE=
1V, IC= 100mA
VCE=
20V, IE=10mA, f=100MHz
VCB=
10V, f=100kHz, IE=0A
VCB=
0.5V, f=100kHz, IC=0A
VCC=
3V, VBE(OFF)= 0.5V,IC= 10mA, IB1= 1mA
VCC=
3V, VBE(OFF)= 0.5V,IC= 10mA, IB1= 1mA
VCC=
3V, IC= 10mA, IB1= IB2= 1mA
VCC=
3V, IC= 10mA, IB1= IB2= 1mA
IC/IB=
10mA/ 1mA
IC/IB=
10mA/ 1mA
IC/IB=
50mA/ 5mA
IC/IB=
50mA/ 5mA
When mounted on a 7 5 0.6mm ceramic board.
+ +
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PDF描述
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2N3906 SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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