參數(shù)資料
型號(hào): 2N3906T93
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: SC-43, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 157K
代理商: 2N3906T93
UMT3906/SST3906/MMST3906/2N3906
Transistors
Rev.A
3/4
0.01
1.0
0.1
10
100
10
500
5
h
FE
-AC
CURRENT
GAIN
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Fig.5 AC current gain vs. collector current
Ta=25
°C
VCE=5V
f=1kHz
0.1
1.0
10
100
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0.6
1.0
1.4
0.2
0
V
BE(SAT)
BASE
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
(V
)
IC-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.6 Base-emitter saturation
voltage vs. collector current
IC / IB=10
Ta=25
°C
0.1
1.0
10
100
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0.6
1.0
1.4
0.2
0
V
BE(ON)
-BASE
EMITTER
ON
VOLTAGE
(V
)
IC-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.7 Grounded emitter propagation
characteristics
VCE=5V
Ta=25
°C
Ta=25
°C
IC / IB=10
1.0
10
100
1000
1
10
ton
-TURN
ON
TIME
(
ns)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Fig.8 Turn-on time vs. collector
current
VCC=3V
15V
40V
1.0
10
100
1000
1
10
tr
-RISE
TIME
(
ns)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Fig.9
Rise time vs. collector
current
Ta=25
°C
IC / =IB=10
1.0
10
100
1000
10
tS
-STORAGE
TIME
(
ns)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Fig.10 Storage time vs. collector
current
IC=101B1=101B2
Ta=25
°C
VCC=3V
40V
15V
1.0
10
100
1000
10
tf-FALL
TIME
(
ns)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Fig.11 Fall time vs. collector
current
IC=101B1=101B2
Ta=25
°C
0.1
1
10
100
10
50
0.5
1
CAPACITANCE
(
pF)
REVERSE BIAS VOLTAGE (
V)
Fig.12
Input / output capacitance
vs. voltage
f=1MHz
Ta=25
°C
Cib
Cob
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N3906 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3906 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3906 SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5551 SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3921 N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-71
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N3906TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3906TAM 功能描述:功率放大器 DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封裝 / 箱體: 工作電源電壓:28 V 電源電流:2.5 A 工作溫度范圍: 封裝:
2N3906TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3906TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3906TF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2