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參數(shù)資料
| 型號： | 2N4402RL1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 14/25頁 |
| 文件大小： | 427K |
| 代理商： | 2N4402RL1 |
8–5
Package Outline Dimensions
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
H
S
F
A
B
D
G
L
4
12
3
0.08 (0003)
C
M
K
J
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
0.249
0.263
6.30
6.70
INCHES
B
0.130
0.145
3.30
3.70
C
0.060
0.068
1.50
1.75
D
0.024
0.035
0.60
0.89
F
0.115
0.126
2.90
3.20
G
0.087
0.094
2.20
2.40
H
0.0008
0.0040
0.020
0.100
J
0.009
0.014
0.24
0.35
K
0.060
0.078
1.50
2.00
L
0.033
0.041
0.85
1.05
M
0
10
0
10
S
0.264
0.287
6.70
7.30
NOTES:
3.
DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
4.
CONTROLLING DIMENSION: INCH.
__
_
CASE 318E–04
SOT–223
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
STYLE 3:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
STYLE 2:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
3. NC
4. CATHODE
CASE 318G–02
TSOP–6
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. SOURCE
5. DRAIN
6. DRAIN
23
4
5
6
A
L
1
S
G
D
B
H
C
0.05 (0.002)
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
0.1142
0.1220
2.90
3.10
B
0.0512
0.0669
1.30
1.70
C
0.0354
0.0433
0.90
1.10
D
0.0098
0.0197
0.25
0.50
G
0.0335
0.0413
0.85
1.05
H
0.0005
0.0040
0.013
0.100
J
0.0040
0.0102
0.10
0.26
K
0.0079
0.0236
0.20
0.60
L
0.0493
0.0610
1.25
1.55
M
0
10
0
10
S
0.0985
0.1181
2.50
3.00
__
_
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
MATERIAL.
M
J
K
PLASTIC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4402RL | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4403RL1 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4402RLRA | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4402 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2N4402TA_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4402TAR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4402TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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