參數(shù)資料
型號： 2N5064
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SCR
封裝： 2N5064<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,;
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 79K
代理商： 2N5064
Semiconductors
Product specification
Thyristor
sensitive gate
2N5064
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
see note:
1
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
R
th j-c
Thermal resistance
junction to case
-
-
75
K/W
R
th j-a
Thermal resistance
junction to ambient
-
200
-
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
T
c
= 25 C, R
GK
= 1 k
Ω
unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
GT
Gate trigger current
T
c
= 25 C
T
c
= -65 C
V
= V
DRM(max)
; R
L
= 100
Ω
; gate open
circuit
V
D
= 12 V; R
GK
= 1 k
Ω
V
= 12 V; R
= 1 k
Ω
I
T
= 1.2 A peak; t
p
= 300
μ
s;
δ
≤
0.01
T
j
= 25 C
T
j
= -65 C
T
j
= 125 C
V
= V
DRM(max)
; R
L
= 100
Ω
; gate open
circuit
V
D
= V
; V
R
= V
RRM(max)
T
j
= 25 C
T
j
= 125 C
-
-
-
-
200
350
μ
A
μ
A
I
L
I
H
V
T
V
GT
Latching current
Holding current
On-state voltage
Gate trigger voltage
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
5
mA
mA
V
V
V
V
1.7
0.8
1.2
-
0.1
I
D
, I
R
Off-state leakage current
-
-
-
-
10
50
μ
A
μ
A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
c
= 25 C, R
GK
= 1 k
Ω
unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
dV
D
/dt
Critical rate of rise of
off-state voltage
Gate controlled turn-on
time
Circuit commutated
turn-off time
V
= 67% V
; T
= 125 C;
exponential waveform; R
GK
= 1 k
Ω
I
TM
= 2 A; V
= V
DRM(max)
; I
G
= 10 mA;
dI
G
/dt = 0.1 A/
μ
s
V
DM
= 67% V
DRM(max)
; T
j
= 125 C;
I
= 1.6 A; V
R
TM
/dt = 30 A/
μ
s;
dV
D
/dt = 2 V/
μ
s; R
GK
= 1 k
Ω
-
25
-
V/
μ
s
t
gt
-
2
-
μ
s
t
q
-
100
-
μ
s
1
This measurement is made with the case mounted "flat side down" on a heatsink and held in position by means of
a metal clamp over the curved surface.
October 1997
2
Rev 1.200
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PDF描述
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參數(shù)描述
2N5064,112 功能描述:SCR BULK SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N5064G 功能描述:SCR THY 0.8A 200V SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N5064RLRA 功能描述:SCR 200V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N5064RLRAG 功能描述:SCR 200V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N5064RLRM 功能描述:SCR 200V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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