型號(hào): | 2N5195 |
廠商: | SEMELAB LTD |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | TO-126VAR, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大?。?/td> | 95K |
代理商: | 2N5195 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N5194 | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2N5194 | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2N5194 | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2N5195 | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2N5210/D10Z | 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N5195 SL H | 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
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2N5195_00 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
2N5195G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5196 | 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |