型號(hào): | 2N5655 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Plastic Silicon NPN Power Transistor(塑料硅NPN功率晶體管) |
中文描述: | 0.5 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA |
封裝: | PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 2/5頁 |
文件大?。?/td> | 80K |
代理商: | 2N5655 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2N5657 | Plastic Silicon NPN Power Transistor(塑料硅NPN功率晶體管) |
2N5656 | Plastic Silicon NPN Power Transistor(0.5A,20W,300V(集電極-發(fā)射極),塑料硅NPN功率晶體管) |
2N5659 | HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 120 VOLTS |
2N5006 | HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 120 VOLTS |
2N5008 | HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 120 VOLTS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2N5655/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistor |
2N5655_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic NPN Silicon High−Voltage Power Transistor |
2N5655G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 250V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5656 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
2N5657 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Fast Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |