參數(shù)資料
型號： 2N5657
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Plastic Silicon NPN Power Transistor(塑料硅NPN功率晶體管)
中文描述： 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA
封裝： PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： 2N5657
2N5655, 2N5657
http://onsemi.com
2
3. Pulse Test: Pulse Width
300 s, Duty Cycle
2.0%.
4. f
T
is defined as the frequency at which |h
fe
| extrapolates to unity.
(I
C
= 100 mAdc (inductive), L = 50 mH)
2N5657
350
C
B
CEO
(V
= 150 Vdc, I
= 0)
CE
B
0.1
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 350 Vdc, V
EB(off)
= 1.5 Vdc)
CE
EB(off)
C
I
CEX
mAdc
(V
CB
= 275 Vdc, I
E
= 0)
2N5655
(I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 10 Vdc)
C
CE
(I
= 250 mAdc, V
= 10 Vdc)
C
CE
5.0
CollectorEmitter Saturation Voltage (Note 3)
(I
C
= 250 mAdc, I
B
= 25 mAdc)
C
B
V
CE(sat)
Vdc
C
CE
BE
40
025
50
75
100
150
Figure 1. Power Derating
T
C
, CASE TEMPERATURE (
°
C)
30
20
10
P
125
Safe Area Limits are indicated by Figures 3 and 4. Both limits are applicable and must be observed.
Figure 2. Sustaining Voltage Test Circuit
50 mH
200
50 V
+
+
X
Y
TO SCOPE
H
g
RELAY
300
1.0
6.0 V
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PDF描述
2N5656 Plastic Silicon NPN Power Transistor(0.5A，20W，300V（集電極-發(fā)射極），塑料硅NPN功率晶體管)
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參數(shù)描述
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