參數(shù)資料
型號： 2N5785N1
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTOR, TO-276AA
封裝： HERMETIC SEALED, METAL, SMD0.5, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 340K
代理商： 2N5785N1
2004 Oct 28
3
Philips Semiconductors
Product specication
PNP high-voltage transistor
2N5401
CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
ICBO
collector-base cut-off current
VCB = 120 V; IE =0 A
50
nA
VCB = 120 V; IE = 0 A; Tj = 100 °C
50
A
IEBO
emitter-base cut-off current
VEB = 4 V; IC =0 A
50
nA
hFE
DC current gain
VCE = 5 V; see Fig.2
IC = 1mA
50
IC = 10 mA
60
240
IC = 50 mA
50
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
IC = 10 mA; IB = 1mA
200
mV
IC = 50 mA; IB = 5mA
500
mV
Cc
collector capacitance
VCB = 10 V; IE =ie = 0 A; f = 1 MHz
6pF
fT
transition frequency
VCE = 10 V; IC = 10 mA; f = 100 MHz 100
300
MHz
F
noise gure
VCE = 5 V; IC = 200 A; RS =2k;
f = 10 Hz to 15.7 kHz
8pF
Fig.2 DC current gain; typical values.
handbook, full pagewidth
0
150
200
50
100
MGD813
101
1
10
102
103
hFE
IC mA
VCE = 5 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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