- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄41438 > 2N5881 (ON SEMICONDUCTOR) 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5881 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封裝： | METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 34/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 421K |
| 代理商： | 2N5881 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁當(dāng)前第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁
2N5879 2N5880 2N5881 2N5882
3–80
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1000
0.2
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
10
0.3
0.5 0.7
2.0
3.0
5.0 7.0
20
70
30
20
100
50
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
TJ = 150°C
25
°C
–55
°C
200
500
VCE = 4.0 V
1.0
10
PNP
2N5879, 2N5880
NPN
2N5881, 2N5882
Figure 9. Collector Saturation Region
2.0
0.03
IB, BASE CURRENT (AMP)
0
0.05
0.1
0.2
0.5
3.0
0.8
0.4
IC = 3.0 A
TJ = 25°C
6.0 A
1.2
1.6
0.07
0.3
12 A
2.0
IB, BASE CURRENT (mAdc)
0
0.8
0.4
TJ = 25°C
1.2
1.6
2.0
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
5.0 7.0
20
1.6
1.2
0.8
0.4
0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 10. “On” Voltages
10
VBE @ VCE = 4.0 V
3.0
2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.6
1.2
0.8
0.4
0
TJ = 25°C
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
700
300
1000
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
10
0.3
0.5 0.7
2.0
3.0
5.0 7.0
20
70
30
20
100
50
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = +150°C
25
°C
–55
°C
200
500
VCE = 4.0 V
1.0
10
700
300
0.7 1.0
2.0
0.03
0.05
0.1
0.2
0.5
3.0
0.07
0.3
0.7 1.0
2.0
IC = 3.0 A
6.0 A
12 A
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
5.0 7.0
20
10
3.0
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 2.0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6040BA | 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6042BU | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6043BG | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6045AJ | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6045BU | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5882 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 15A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-NPN SI- PO AMP |
| 2N5882/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Silicon NPN High Power Transistor |
| 2N5883 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5883 | 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-3 |
| 2N5883/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Complementary Silicon High-Power Transistors |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。