參數(shù)資料
型號： 2N6042
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistor(8A，75W，100V（集電極-發(fā)射極），塑料，補償型硅PNP中等功率晶體管)
中文描述： 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： 2N6042
PNP 2N6040, 2N6042, NPN 2N6043, 2N6045
http://onsemi.com
2
*Indicates JEDEC Registered Data.
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
= 25
°
C unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Sustaining Voltage
C
B
60
(V
CE
= 60 Vdc, I
B
= 0)
CE
B
20
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 100 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc)
CE
BE(off)
C
(V
= 80 Vdc, V
= 1.5 Vdc, T
= 150
°
C)
CE
BE(off)
C
I
CEX
200
A
Collector Cutoff Current
CB
E
(V
= 100 Vdc, I
= 0)
2N6042, 2N6045
ON CHARACTERISTICS
(I
C
= 4.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
(I
C
= 8.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
All Types
(I
C
= 4.0 Adc, I
B
= 16 mAdc)
(I
C
= 8.0 Adc, I
B
= 80 Adc)
2N6040, 2N6043,
All Types
2.0
4.0
BaseEmitter Saturation Voltage (I
C
= 8.0 Adc, I
B
= 80 mAdc)
BaseEmitter On Voltage (I
C
= 4.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Small Signal Current Gain (I
C
= 3.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
Output Capacitance
CB
E
V
BE(sat)
V
BE(on)
4.5
2.8
Vdc
Vdc
|h
fe
|
4.0
fe
C
CE
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PDF描述
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2N6044 功能描述:達林頓晶體管 NPN Darl Pwr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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