參數(shù)資料
型號： 2N6045
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistor(8A，75W，100V（集電極-發(fā)射極），塑料，補(bǔ)償型硅NPN中等功率晶體管)
中文描述： 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： 2N6045
PNP 2N6040, 2N6042, NPN 2N6043, 2N6045
http://onsemi.com
2
*Indicates JEDEC Registered Data.
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
= 25
°
C unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Sustaining Voltage
C
B
60
(V
CE
= 60 Vdc, I
B
= 0)
CE
B
20
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 100 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc)
CE
BE(off)
C
(V
= 80 Vdc, V
= 1.5 Vdc, T
= 150
°
C)
CE
BE(off)
C
I
CEX
200
A
Collector Cutoff Current
CB
E
(V
= 100 Vdc, I
= 0)
2N6042, 2N6045
ON CHARACTERISTICS
(I
C
= 4.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
(I
C
= 8.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
All Types
(I
C
= 4.0 Adc, I
B
= 16 mAdc)
(I
C
= 8.0 Adc, I
B
= 80 Adc)
2N6040, 2N6043,
All Types
2.0
4.0
BaseEmitter Saturation Voltage (I
C
= 8.0 Adc, I
B
= 80 mAdc)
BaseEmitter On Voltage (I
C
= 4.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Small Signal Current Gain (I
C
= 3.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
Output Capacitance
CB
E
V
BE(sat)
V
BE(on)
4.5
2.8
Vdc
Vdc
|h
fe
|
4.0
fe
C
CE
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PDF描述
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2N6046 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 20A 3PIN TO-63 - Bulk
2N6047 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 100V 20A 3PIN TO-63 - Bulk
2N6048 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 140V 20A 3PIN TO-63 - Bulk
2N6049 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 55V 4A 3PIN TO-66 - Bulk
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